单点抛锚浮标警示船只浮体
浮体应(英语:Floating body effect)是在SOI技术中实现的晶体管与体势(body potential)相关的应。晶体管在缘体层上形成个电容。这个电容上聚集的电荷可能会产生负面应,例如,开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流(off-state leakages),造成高的电流消耗,以动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史应(英语:history effect),即晶体管与之前状态阈值电压有关的应。在模拟电路器件中,浮体应被称作扭结应(英语:Kink effect)。
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动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表个二进制比(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是个可避的要件。由于这种需要定时刷新的性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。
与SRAM相比,DRAM的势在于结构简单——每个比的数据都只需个电容跟个晶体管来理,相比之下在SRAM上个比通常需要六个晶体管。正因这缘故,DRAM拥有高的密度,单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的,DRAM也有访问速度较慢,耗电量较的缺点。
门前左右角楼为鸣金、奏乐和瞭望,东西两侧是辕门。整个建筑飞檐画栋,雄伟壮观。其兴建于1888年(光绪十四年)。占地面积近1万平方米,"傍海修筑,高距危岩,下临地,飞甍广厦,轮奂美焉"。其平面呈长方,主体建筑分前后三栋,三进院落。
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